Guten Tag
Post by Alfred MolonDie Daten sind nur weg, weil man das Ding eben zu lange stromlos hat
liegen lassen.
D.h. wenn man einen PC mit SSD bspw. ein Jahr lang nicht mehr benutzt
hat, ist möglicherweise alles weg?
Die Zeit haengt von Qualitaet, Kapazitaet und Bauart des
Flashspeichers ab, aber irgendwann ist alles weg.
Nach einem Jahr sind aber eigentlich eher einige Elektronen weg.
Wieviele Elektronen pro Bit vorhanden sein muessen um beispielsweise
als diese oder jenes Bit (oder bei QLC jenes oder jenes oder jenes....
Bit) noch korrekt erkannt und ausgelesen sein koennen haengt leider
von vielen Faktoren an.
Dass einzelne Bits von den viiiiielen Gigabits dann schon falsch sein
koennen ist wahrscheinlich.
Wenn aber noch nicht genug Bits an den unguenstigten Stellen sich
veraendert haben merkt man davon noch gar nichts, weil die eingebaute
Fehlerkorrektur schon beim Auslesen greift und on the fly korrigiert.
Irgendwann sind aber zuviele Elektronen an den unguenstigsten Stellen
verloren gegangen.
Stark vereinfacht zur Erklarung (Flashstechnik in SSDs ist erheblich
komplizierter):
Bei einfachstem Flashspeicher entspricht ein Bit einer Flashzelle.
Sagen wir mal eine voll geladene Flashzelle kann genug Elektronen
halten um beim Auslesen 4V zu haben.
Also definiert man: wenn die Zelle mehr als 2V hat ist das Bit darin
logisch "1". Wenn die Zelle weniger als 2V hat ist das Bit darin
logisch "0".
(Um eine eindeutigere Unterscheidung zwischen "0" und "1" zu
ermoeglichen hat man in der Realitaet zwischen den definierten Grenzen
etwas Abstand gelassen.)
Eine solche Zelle kann also raeumlich viel Platz haben und darin viele
Elektronen lagern. Vereinzelt abgewanderte Elektronen stoeren da
nicht, weil schon sehr viele abfliesen muesen um von einer logischen
"1" zu einer "0" zu werden. Die laesst sich auch ueber Jahre noch gut
auslesen (vor allem, weil noch weitere Zellen fuer Fehlerkorrekturbits
vorhanden sind).
Da Speicherplatz aber teuer ist und alles in Summe wieder billiger und
kleiner werden soll hat man eben irgendwann weitergeforscht und
festgelegt diese Zelle kann auch mehr als 1 Bit lagern.
Also hat man 2Bit pro Zelle unter gebracht. Somit kann die Flashzelle
beim Auslesen also den Zugstand logisch "00" oder "01" oder "10" oder
"11" haben. Wenn man das auf die 4V aufteilt koennte man sagen:
Alles ueber 3V = "11"
Alles ueber 2V und unter 3V = "10"
Alles ueber 1V und unter 2V = "01"
Alles unter 1V = "00"
(und auch hier wird zwischen den Grenzen in der Realitaet
Sicherheitsabstand noch eingeplant).
Schon hat man nur noch (weniger als) 1/4 der ursprueglichen Elektronen
pro Flashzelle um den Zustand der 2 Bits in der einen Zelle korrekt zu
erkennen
Und dann hat man irgendwann gedacht, das kann man auch mit 3 Bits pro
Zelle machen: also hat man 000 001 010 011 100 101 110
111.
Schon muss man die urspruenglichen angenommenen 4V in 8 Zustaende
zerteilen (und dann noch etwas Sicherheitsabstand dazwischen).
Bei gleicher Flashzellengroesse hat man also nun nur noch weniger als
1/8 der urspruenglichen Elektronen pro Bit...
Und dann wurden es QLC Speicher = 4 Bits pro Zelle...
Du siehst, selbst wenn man die weitere Miniaturisierung und Umbau auf
Stapelspeicher und schwankende Fertigungsqualitaeten, mal aussen vor
laesst sind immer weniger Elektronen in der Zelle um den Bitzustand
der enthaltenen Bits noch erkennen zu koennen.
Wenn davon dann einge Elektronen im Laufe der Zeit abwandern
(Flashzellen werden bei jedem Schreibvorgang 'angekratzt' und werden
dadurch immer 'undichter') wird es immer schwieriger die urspruenglich
eingeschriebene und notwendige Spannung auch wieder auszulesen und
somit die Bits korrekt festzustellen.
Und irgendwann wird eine eingeschriebene "1111" auf einmal nur noch
als "1110" erkannt, weil der Unterschied von einigen Millivolt eben
nicht mehr aufrecht gehalten werden konnte.
Wie gesagt: extrem vereinfacht und schematisiert.